Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
4

Deep level defects in proton irradiated p-type Al0.5Ga0.5As

Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 166 KB
english, 2009
5

Defect studies in Cd0.95Mn0.05Te : Ga by DLTS

Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 95 KB
english, 1999
6

Persistent photoconductivity and DLTS in indium-doped Cd0.9Mn0.1Te

Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 101 KB
english, 1999
9

Top PV market solar cells 2016

Рік:
2017
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.49 MB
english, 2017
13

Electrical properties of infrared photovoltaic CdxHg1−xTe detectors

Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 663 KB
english, 1981
14

Dark current in far-infrared Hg(1−x−y)CdxMnyTe Detectors

Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 340 KB
english, 1988
15

Electrical properties of HgCdMnTe p−n junctions

Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 292 KB
english, 1989
16

Tunnelling spectroscopy of CdxHg1−xTe detectors

Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 303 KB
english, 1985
17

Deep electron states in gallium-doped CdMnTe mixed crystals

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 253 KB
english, 1996
18

Zn3P2—a new material for optoelectronic devices

Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 385 KB
english, 1994
19

Surface photovoltage in CdMnTe

Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 333 KB
english, 1992
20

Electrical characterization of Au Schottky contact on n-type Cd0.99Mn0.01Te

Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 161 KB
english, 1995
21

Photoionization of DX-related traps in indium- and gallium-doped Cd1−xMnxTe

Рік:
2003
Мова:
english
Файл:
PDF, 182 KB
english, 2003
25

Zn3P2-a new material for optoelectronic devices

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 258 KB
english, 1991
26

Deep hole traps in Be-doped Al0.2Ga0.8As layers grown by molecular beam epitaxy

Рік:
2003
Мова:
english
Файл:
PDF, 195 KB
english, 2003
28

Cd0.8Mn0.2Te:(In/Al) – deep level transient spectroscopy

Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 82 KB
english, 2000
29

Metastable irradiation induced defects in Be doped Al0.5Ga0.5As MBE layers

Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 101 KB
english, 2001
30

Metastable defect characterization in Cd0.9Mn0.1Te : In

Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 99 KB
english, 2001
31

Deep levels in He++ irradiated Be-doped Al0.5Ga0.5As MBE layers

Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 116 KB
english, 1999
32

DX centers in indium-doped Cd0.9Mn0.1Te

Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 90 KB
english, 2001
33

Photoionization kinetics of the DX related center in In-doped Cd1−xMnxTe

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 129 KB
english, 2004
35

Fermi Level in Cdx Hg1−x Te

Рік:
1977
Мова:
english
Файл:
PDF, 170 KB
english, 1977
36

Metastabilities in the electrical characteristics of Au-CdMnTe Schottky contacts

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 209 KB
english, 2006
37

Deep electron states in indium-doped Cd0.93Mn0.07Te DLTS study

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 217 KB
english, 2006
40

Tunneling effect in CdxHg1-xTe photodiodes

Рік:
1985
Мова:
english
Файл:
PDF, 341 KB
english, 1985
43

Structural and optical characterization of GaN nanowires

Рік:
2013
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.16 MB
english, 2013